Rof eo modulator fash modulator 20g тонкая плёнка літый niobate modulator
Рыса
■ Прапускная здольнасць РФ да 20/40 Ггц
■ Напружанне паловы хвалі нізкае да 3 V
■ Страта ўстаўкі да 4,5 дБ
■ Невялікі памер прылады
Параметр
| Катэгорыя | Спрэчка | Sym | Універсітэт | Айнтер | |
| Аптычныя характарыстыкі (@25 ° C) | Аперацыйная даўжыня хвалі (*) | λ | nm | ~ 1550 | |
| Аптычная страта вяртання
| ORL | dB | ≤ -27 | ||
| Аптычная страта ўстаўкі (*) | IL | dB | Максімум：5,5Typ：4.5 | ||
| Электрычныя ўласцівасці (пры 25 ° С)
| 3 дБ электра-аптычная прапускная здольнасць (ад 2 ГГц | S21 | GHZ | X1: 2 | X1: 4 |
| Мін：18Typ：20 | Мін：36Typ：40 | ||||
| РФ палова хвалевага напружання (пры 50 кГц)
| Vπ | V | Максімум：3.5Typ：3.0 | ||
| Страта вяртання РФ (ад 2 ГГц да 40 ГГц)
| S11 | dB | ≤ -10 | ||
| Працоўны стан
| Працоўная тэмпература | TO | ° С | -20 ~ 70 | |
* наладжваецца
Парог пашкоджання
| ARGUMENT | Sym | Sвыбар | Мін | Максімум | Універсітэт |
| РФ уводу магутнасці | Грэх | X2: 4 | - | 18 | дБм |
| X2: 5 | - | 29 | |||
| RF Уваходнае напружанне Swing | Vpp | X2: 4 | -2.5 | +2.5 | V |
| X2: 5 | -8.9 | +8.9 | |||
| RF Увод RMS напружанне | Vrms | X2: 4 | - | 1,78 | V |
| X2: 5 | - | 6.30 | |||
| Тэмпература захоўвання | Шпілька | - | - | 20 | дБм |
| Аптычная ўваходная магутнасць | Ts | - | -40 | 85 | ℃ |
| Адносная вільготнасць (без кандэнсацыі) | RH | - | 5 | 90 | % |
Калі прылада перавышае максімальны парог пашкоджання, гэта прывядзе да незваротнага пашкоджання прылады, і гэты тып пашкоджання прылады не пакрываецца службай тэхнічнага абслугоўвання.
Тэст -узор S21 (тыповае значэнне 40 ГГц)
S21 &S11
Інфармацыя аб замове
Тонкая плёнка літый ніёбат 20 Ггц/40 Ггц Фаза мадулятара
| выбіраць | Апісанне | выбіраць |
| X1 | 3 дБ электра-аптычная прапускная здольнасць | 2or4 |
| X2 | Максімальная магутнасць уводу РФ | 4or5 |
Пра нас
Rofea Optoelectronics offers a range of commercial products including Electro Optical Modulators, Phase Modulators, Photo Detectors, Laser Sources, DFB Lasers, Optical Amplifiers, EDFAs, SLD Lasers, QPSK Modulation, Pulsed Lasers, Photo Detectors, Balanced Photo Detectors, Semiconductor lasers, laser drivers, fiber couplers, pulsed lasers, Узмацняльнікі валакна, аптычныя лічыльнікі магутнасці, шырокапалосныя лазеры, наладжваныя лазеры, аптычныя лініі затрымкі, электра-аптычныя мадулятары, аптычныя дэтэктары, драйверы лазернага дыёда, узмацняльнікі валокнаў, узмацняльнікі валакна, падвешаны эрбіем, і лазерныя крыніцы святла.
Мадулятар фазы LINBO3 шырока выкарыстоўваецца ў хуткаснай аптычнай камунікацыйнай сістэме, лазерным зандзіраванні і сістэмах ROF з-за электра-аптычнага эфекту. Серыя R-PM, заснаваная на TI-Diffused і APE Technology, мае стабільныя фізічныя і хімічныя характарыстыкі, якія могуць адпавядаць патрабаванням большасці прымянення ў лабараторных эксперыментах і прамысловых сістэмах.
Rofea Optoelectronics offers a product line of commercial Electro-optic modulators, Phase modulators, Intensity modulator, Photodetectors, Laser light sources, DFB lasers,Optical amplifiers, EDFA, SLD laser, QPSK modulation, Pulse laser, Light detector, Balanced photodetector, Laser driver, Fiber optic amplifier, Optical power meter, Шырокапалосны лазер, наладжаны лазер, аптычны дэтэктар, драйвер лазернага дыёда, узмацняльнік валакна. Мы таксама прадастаўляем мноства канкрэтных мадулятараў для налады, такіх як мадулятары масіва 1*4, ультра-нізкія VPI і мадулятары суадносін знікаючых выміранняў, у першую чаргу, якія выкарыстоўваюцца ў універсітэтах і інстытутах.
Спадзяюся, што наша прадукцыя будзе карыснай вам і вашаму даследаванню.
