ROF Semiconductor Laser 1550NM Вузкая лінейная частата стабілізацыі лазернага модуля
Рыса
Шырыня лініі: 2 кГц-10 кГц (наладжваецца)
Аптычная магутнасць: 10MW-30MW (абмежаваная шырынёй радка, можна наладзіць)
Шум vrin: -150db/ Гц пры 100 кГц
Прымяненне
Аптычныя сістэмы зандзіравання і выяўлення валакна (DTS, DVS, DAS і г.д.)
Параметры
| Параметр | Мін | Друкаваць | Максімум | Адзінка | Заўвага |
| Даўжыня хвалі | 1530 | 1550 | 1570 | nm | наладжвальны |
| Вывадная аптычная магутнасць |
| 10 | 30 | mW | наладжвальны |
| Адносная інтэнсіўнасць шуму |
| -150 |
| дБ/Гц | @100kHz |
| Каэфіцыент адхілення рэжыму краёў | 60 | 60 |
| dB |
|
| Каэфіцыент вымірання палярызацыі | 20 |
|
| dB |
|
| Устойлівасць электраэнергіі |
| ± 2% |
|
| -20 ° C ~+70 ° C |
| Устойлівасць даўжыні хвалі |
| ± 15 |
| pm | -20 ° C ~+70 ° C |
| Кароткачасовы дрэйф лёгкай частаты |
| 0,1 | 1 | МГц/с |
|
| Лёгкая частата змяняецца на працягу доўгага перыяду часу |
| ± 38 |
| МГц | 12h пры 25 ± 2 ° С |
| Працоўны ток |
| 400 | 2000 | mA |
|
| Працоўнае напружанне | 4,75 | 5 | 5.25 | v |
|
| Працоўная тэмпература | -20 |
| 70 | ° С | наладжвальны |
| Тэмпература захоўвання | -40 |
| 85 | ° С |
|
| Вільготнасць захоўвання | 5 |
| 95 | %RH |
|
| Аптычнае валакно/раз'ём | Палярызацыйная абалоніна (PM), FC-APC, мінімальны радыус выгібу 35 мм, максімальнае нацяжэнне валакна 5N |
|
|
|
|
| Памер модуля | Даўжыня, шырыня і вышыня 85*47*14 мм |
|
|
|
|
| Якасць модуля | 145G (кабель не ўключаны) |
|
|
|
|
| АСД | 500 У |
|
|
|
|
| Аўтэнтыфікацыя/інструкцыя | Ce 、 rohs 、 weee |
|
|
|
|
| Шырыня лініі і параметры шуму | |||||
| Шырыня лініі і шум | Узровень 1 | Узровень 2 | Узровень 3 | Адзінка |
|
| Інтэгральная шырыня лініі 1 | 10 | 5 | 3 | кГц |
|
| Імгненная шырыня лініі 2 | 1.17 | 0,78 | 0,32 | кГц |
|
| Аптычны шум пры 10 Гц | 7e+06 | 1E+06 | 7e+05 | Hzrms^2/Гц |
|
| Аптычны шум @200 Гц | 7e+04 | 2E+04 | 6E+03 | Hzrms^2/Гц | |
УВАГА 1: Інтэгральная лінейная здольнасць вымяраецца інтэрфераметрыяй нераўнаважнай нераўнаважнай, нераўнаважнай;
Заўвага 2: Імгненная шырыня лініі - шырыня лініі Ларэнца.
Памер структуры: Блок (мм)
Вызначэнне порта:
| Паслядоўны | Імя | Асаблівасці/тэхнічныя характарыстыкі |
| 1 | VCC | Уваход магутнасці 5V/3A, нізкі шум (рэкамендуецца Ripple <5MV) |
| 2 | TX (выхад) | Вывад дадзеных, 3.3V TTL (па змаўчанні) |
| 3 | RX (увод) | Увод дадзеных, 3.3VTTL (па змаўчанні) |
| 4 | Gnd | электрычна |
| 5 | Gnd | электрычна |
| 6 | VCC | Уваход магутнасці 5V/3A, нізкі шум (рэкамендуецца Ripple <5MV) |
| 7 | Мод+(увод) | Мадулюючы ўвод сігналу, без зваротнага злучэння (карыстацкая функцыя) |
| 8 | Мод- (увод) | Мадуляваная спасылка на сігнал, без зваротнага злучэння (карыстацкая функцыя) |
| 9 | Уключыць (увод) | Інтэрфейс перазапуску модуля, нізкі ўзровень па змаўчанні, перазагрузку высокага ўзроўню |
Пра нас
Rofea Optoelectronics offers a comprehensive range of commercial electro-optic modulators, phase modulators, photodetectors, laser light sources, DFB lasers, optical amplifiers, EDFAs, SLD lasers, QPSK modulation, pulse lasers, light detectors, balanced photodetectors, semiconductor lasers, laser drivers, fiber couplers, pulsed Лазеры, валаконна-аптычныя ўзмацняльнікі, аптычныя лічыльнікі магутнасці, шырокапалосныя лазеры, наладжваныя лазеры, аптычныя затрымкі электра-аптычных мадулятараў, аптычныя дэтэктары, лазерныя дыёдныя драйверы, узмацняльнікі валакна, узмацняльнікі валакна, лежаныя эрбіем, і лазерныя крыніцы святла. Акрамя таго, мы забяспечваем мноства наладжвальных мадулятараў, такіх як мадулятары масіва 1*4, ультра-нізкія VPI і ўльтра-высокія мадулятары вымірання, якія ў асноўным выкарыстоўваюцца ў універсітэтах і інстытутах. Нашы прадукты прапануюць дыяпазон даўжыні хвалі ад 780 нм да 2000 нм з электра-аптычнай прапускной здольнасцю да 40 ГГц, якія прадстаўляюць нізкую страту ўстаўкі, нізкі VP і высокі за. Яны ідэальна падыходзяць для розных прыкладанняў, пачынаючы ад аналагавых спасылак на РФ да хуткаснай сувязі.
Вялікія перавагі ў гэтай галіне, такія як налада, разнастайнасць, тэхнічныя характарыстыкі, высокая эфектыўнасць, выдатнае абслугоўванне. А ў 2016 годзе выйграў Пекін-высокатэхналагічны сертыфікацыю, мае мноства патэнтавых сертыфікатаў, моцных сіл, прадуктаў, якія прадаюцца дома і за мяжой, са сваёй стабільнай, найвышэйшай працай, каб заваяваць хвалу карыстальнікаў дома і за мяжой!
21 -га стагоддзя - эпоха актыўнага развіцця фотаэлектрычных тэхналогій, ROF гатовы зрабіць усё магчымае, каб забяспечыць вам паслугі і стварыць з вамі бліскучы. Мы з нецярпеннем чакаем супрацоўніцтва з вамі!
Rofea Optoelectronics offers a product line of commercial Electro-optic modulators, Phase modulators, Intensity modulator, Photodetectors, Laser light sources, DFB lasers,Optical amplifiers, EDFA, SLD laser, QPSK modulation, Pulse laser, Light detector, Balanced photodetector, Laser driver, Fiber optic amplifier, Optical power meter, Шырокапалосны лазер, наладжаны лазер, аптычны дэтэктар, драйвер лазернага дыёда, узмацняльнік валакна. Мы таксама прадастаўляем мноства канкрэтных мадулятараў для налады, такіх як мадулятары масіва 1*4, ультра-нізкія VPI і мадулятары суадносін знікаючых выміранняў, у першую чаргу, якія выкарыстоўваюцца ў універсітэтах і інстытутах.
Спадзяюся, што наша прадукцыя будзе карыснай вам і вашаму даследаванню.
