ROF Электра-аптычны модулятар 1550NM AM Інтэнсіўная модулятар серыі 20G
Рыса
* Нізкая страта ўстаўкі
* Высокая прапускная здольнасць
* Напружанне нізкага хваля
* Варыянт налады
Прымяненне
⚫ Сістэмы ROF
⚫ Квантовае размеркаванне ключоў
⚫ Сістэмы лазернага зандзіравання
⚫ Мадуляцыя пабочнай паласы
| Роф-Ам серыя | Роф-Am-07 | Роф-Am-08 | Роф-Am-10 | Роф-Am-13 | Роф-Am-15 | |||
| Працоўная даўжыня хвалі | 780 нмм | 850 нм | 1064nm | 1310nm | 1550 нм | |||
| Прапускная здольнасць | 10 Ггц | 10 Ггц | 10/20GHZ | 2,5 Ггц | 50GHZ | 10 Ггц | 20 Ггц | 40 Ггц |
| Страта ўстаўкі | ＜ 5db | ＜ 5db | ＜5 дб | ＜5 дб | ＜4 дб | |||
| Каэфіцыент вымірання @DC | ＞20db | ＞20db | ＞20db | ＞20db | ＞20db | |||
| VΠ @RF (1 кГц) | ＜ 3V | ＜ 3V | ＜ 4V | <3.5V | ＜6V | <5V | ||
| VΠ @Bias | ＜3.5V | ＜3.5V | ＜ 5V | <5V | <8v | <7v | ||
Інфармацыя аб замове
| Роф | AM | XX | Ххг | XX | XX | XX |
| Тып： Am ---МоцМадулятар | Даўжыня хвалі： 07 --- 780nm 10 --- 1060nm 13 ---1310nm 15 --- 1550nm | Прапускная здольнасць： 10 гHz 20GHz 40GHz 50GHz
| Сачыце за PD: PD --- з PD | Тып валакна： PP---PM/PM
| Аптычны раз'ём： FA --- FC/APC FP --- FC/ПК SP ---Customization |
R-AM-15-10G
| Параметр | Сімвал | Мін | Друкаваць | Максімум | Адзінка | ||||
| Аптычныя параметры | |||||||||
| Працавацьдаўжыня хвалі | l | 1530 | 1550 | 1565 | nm | ||||
| Страта ўстаўкі | IL | 4 | 5 | dB | |||||
| Аптычная страта вяртання | ORL | -45 | dB | ||||||
| Каэфіцыент выключальніка пераключэння @DC | Er@dc | 20 | 23 | 45 | dB | ||||
| Каэфіцыент дынамічнага вымірання | Дэр | 13 | dB | ||||||
| Аптычнае валакно | Уводпорт | Panda pm fujikura sm | |||||||
| прадукцыяпорт | Panda pm fujikura sm | ||||||||
| Аптычны інтэрфейс валакна | FC/PC 、 FC/APC або карыстальнік для вызначэння | ||||||||
| Электрычныя параметры | |||||||||
| Працавацьпрапускная здольнасць（-3DB） | S21 | 18 | 20 | GHZ | |||||
| Паў-хвалі напружання VPI | RF | @50 кГц |
| 4.5 | 5 | V | |||
| BІС | @Bias |
| 6 | 7 | V | ||||
| ЭлектрычныalСтрата вяртання | S11 | -12 | -10 | dB | |||||
| Імпеданс уводу | RF | ZRF | 50 | W | |||||
| Прадузятасць | ZПрадузятасць | 1M | W | ||||||
| Электрычны інтэрфейс | K(F) | ||||||||
Абмежаваць умовы
| Параметр | Сімвал | Адзінка | Мін | Друкаваць | Максімум |
| Уводная аптычная магутнасць | Pу, макс | дБм | 20 | ||
| INput RF Power | дБм | 28 | |||
| Напружанне зрушэння | Vbias | V | -15 | 15 | |
| Працавацьтэмпература | Вяршыня | ℃ | -10 | 60 | |
| Тэмпература захоўвання | Tst | ℃ | -40 | 85 | |
| Вільготнасць | RH | % | 5 | 90 |
Крывая S21
& S11 Крывая
Крывыя S21 & S11
Механічная схема
| Порт | Сімвал | Запіска |
| У | Аптычны порт уводу | PM Wiber (125 мкм/250 мкм) |
| Па -за | Аптычны выхадны порт | PM і SMF варыянт |
| RF | Порт уводу РФ | SMA (F) |
| Прадузятасць | Порт кіравання прадузятасцю | 1,2 зрушэння, 34-н/с |
Rofea Optoelectronics offers a product line of commercial Electro-optic modulators, Phase modulators, Intensity modulator, Photodetectors, Laser light sources, DFB lasers,Optical amplifiers, EDFA, SLD laser, QPSK modulation, Pulse laser, Light detector, Balanced photodetector, Laser driver, Fiber optic amplifier, Optical power meter, Шырокапалосны лазер, наладжаны лазер, аптычны дэтэктар, драйвер лазернага дыёда, узмацняльнік валакна. Мы таксама прадастаўляем мноства канкрэтных мадулятараў для налады, такіх як мадулятары масіва 1*4, ультра-нізкія VPI і мадулятары суадносін знікаючых выміранняў, у першую чаргу, якія выкарыстоўваюцца ў універсітэтах і інстытутах.
Спадзяюся, што наша прадукцыя будзе карыснай вам і вашаму даследаванню.
