Электрааптычны мадулятар Rof 1550 нм Мадулятар інтэнсіўнасці серыі AM 2,5 Г

Кароткае апісанне:

Мадулятар інтэнсіўнасці LiNbO3 шырока выкарыстоўваецца ў высакахуткасных сістэмах аптычнай сувязі, сістэмах лазернага зандзіравання і ROF дзякуючы добрым электрааптычным характарыстыкам. Серыя R-AM на аснове двухтактнай структуры MZ і канструкцыі X-cut мае стабільныя фізічныя і хімічныя характарыстыкі, якія могуць прымяняцца як у лабараторных эксперыментах, так і ў прамысловых сістэмах.

Дашліце нам ліст

Дэталь прадукту

Rofea Optoelectronics прапануе аптычныя і фатонныя электрааптычныя мадулятары

Тэгі прадукту

Асаблівасць

* Нізкія ўносяцца страты
* Высокая прапускная здольнасць
* Нізкае паўхвалевае напружанне
* Варыянт налады

Электрааптычны мадулятар Электрааптычны мадулятар LiNbO3 мадулятар інтэнсіўнасці MZM мадулятар Mach-Zehnder мадулятар LiNbO3 мадулятар Ніябат літыя мадулятар

Ужыванне

⚫ сістэмы ROF
⚫ Квантавае размеркаванне ключоў
⚫ Лазерныя сістэмы зандзіравання
⚫ Мадуляцыя бакавой паласы

Даўжыня хвалі

⚫750 нм

⚫850 нм

⚫ 1064 нм

⚫ 1310 нм

⚫ 1550 нм

Прапускная здольнасць

⚫ 10 ГГц
⚫ 20 ГГц
⚫ 40 ГГц
⚫ 50 ГГц

Р-АМ-15-2,5Г

Параметр				Сімвал		Мін	Тып	Макс	Адзінка
Аптычныя параметры
Аперацыйнаядаўжыня хвалі				l		1530 год	1550	1565 год	nm
Устаўныя страты				IL			4	5	dB
Аптычныя зваротныя страты				ORL				-45	dB
Пераключыць каэфіцыент згасання @DC				ER@DC		20	23	45	dB
Дынамічны каэфіцыент згасання				ДЭР			13		dB
Аптычнае валакно	Уводпорт					Panda PM Fujikura SM
	выхадпорт					Panda PM Fujikura SM
Інтэрфейс аптычнага валакна						FC/PC、FC/APC Або пазначыць карыстальнік
Электрычныя параметры
Аперацыйнаяпрапускная здольнасць（-3 дБ)					S₂₁	2.5	3		ГГц
Напружанне паўхвалі Vpi		RF			@50 кГц		4.5	5	V
		Bias			@Bias		6	7	V
Электрычныalзваротныя страты					S₁₁		-12	-10	dB
Уваходны супраціў			RF		Z_RF	50			W
			прадузятасць		Z_{ПРАДЗЯТОСЦЬ}	1M			W
Электрычны інтэрфейс						SMA(f)

Лімітавыя ўмовы

Параметр	Сімвал	Адзінка	Мін	Тып	Макс
Уваходная аптычная магутнасць	P_{у, Макс}	дБм			20
Inпаходная радыёчастотная магутнасць		дБм			28
напружанне зрушэння	Vbias	V	-15		15
Аперацыйнаятэмпература	Топ	℃	-10		60
Тэмпература захоўвання	Tst	℃	-40		85
Вільготнасць паветра	RH	%	5		90

Крывая S21

&S11 Крывая

S21&s11 крывыя

Механічная схема

ПОРТ	Сімвал	Заўвага
У	Oўваходны порт ptical	PM валакно (125 мкм/250 мкм)
Выхад	Oптушыны выхадны порт	PM Абалоніна(125 мкм/250 мкм)
RF	RF ўваходны порт	SMA(f)/ K(f) / V(f)
прадузятасць	Порт кіравання зрушэннямі	1,2 прадузятасць, 3-PD катод, 4-PD анод

Папярэдняя: Электрааптычны мадулятар Rof 1550 нм Мадулятар інтэнсіўнасці з высокім каэфіцыентам згасання серыі AM

далей: Электрааптычны мадулятар Rof 1550 нм з падаўленнем носьбіта, аднапалосны мадулятар SSB, мадулятар

Rofea Optoelectronics прапануе лінейку камерцыйных электрааптычных мадулятараў, фазавых мадулятараў, мадулятараў інтэнсіўнасці, фотадэтэктараў, лазерных крыніц святла, лазераў DFB, аптычных узмацняльнікаў, EDFA, лазераў SLD, мадуляцыі QPSK, імпульсных лазераў, дэтэктараў святла, збалансаваных фотадэтэктараў, драйвераў лазераў. , Валаконна-аптычны ўзмацняльнік, аптычны вымяральнік магутнасці, шырокапалосны лазер, перабудоўваемы лазер, аптычны дэтэктар, драйвер лазернага дыёда, валаконны ўзмацняльнік. Мы таксама прапануем мноства канкрэтных мадулятараў для наладжвання, такіх як фазавыя мадулятары з масівам 1*4, мадулятары са звышнізкім Vpi і мадулятары са звышвысокім каэфіцыентам згасання, якія ў асноўным выкарыстоўваюцца ва ўніверсітэтах і інстытутах.
Спадзяемся, што нашы прадукты будуць карыснымі для вас і вашых даследаванняў.

Спадарожныя тавары