Электрааптычны мадулятар Rof 1310 нм, мадулятар інтэнсіўнасці 2,5 Г

Кароткае апісанне:

Мадулятар інтэнсіўнасці LiNbO3 шырока выкарыстоўваецца ў высакахуткасных сістэмах аптычнай сувязі, лазерным зандзіраванні і сістэмах ROF з-за добрага электрааптычнага эфекту.Серыя R-AM на аснове структуры MZ і дызайну X-cut мае стабільныя фізічныя і хімічныя характарыстыкі, якія могуць прымяняцца як у лабараторных эксперыментах, так і ў прамысловых сістэмах.

Дашліце нам ліст СПАМПАВАЦЬ

Дэталь прадукту

Rofea Optoelectronics прапануе аптычныя і фатонныя электрааптычныя мадулятары

Тэгі прадукту

Асаблівасць

Нізкія ўносяцца страты
Прапускная здольнасць: 2,5 ГГц
Нізкае паўхвалевае напружанне
Варыянт налады

Ужыванне

Сістэмы ROF
Квантавае размеркаванне ключоў
Сістэмы лазернага зандзіравання
Мадуляцыя бакавой паласы

Аптычныя параметры

Параметр		Сімвал	Мін	Тып	Макс	адзінка
Працоўная даўжыня хвалі		l	1290 год	1310 год	1330 год	nm
Устаўныя страты		IL		4	5	dB
Аптычныя зваротныя страты		ORL			-45	dB
Пераключыць каэфіцыент згасання @DC		ER@DC	20	23		dB
Дынамічны каэфіцыент згасання		ДЭР		13		dB
Аптычнае валакно	Уваходны порт		PM валакно (125/250 мкм)
	выхадны порт		Валакно PM або SM (125/250 мкм)
Інтэрфейс аптычнага валакна			FC/PC、FC/APC або налада

Электрычныя параметры

Параметр		Сімвал	Мін	Тып	Макс	адзінка
Працоўная паласа прапускання （-3 дБ）		S21		2.5		ГГц
Паўхвалевае напружанне	RF	VΠ@1 кГц		3	4	V
Паўхвалевае напружанне	прадузятасць	VΠ@1 кГц		3.5	4.5	V
Электрычныя зваротныя страты		S11		-12	-10	dB
Уваходны супраціў	RF	ЖРФ	50			W
Уваходны супраціў	прадузятасць	ЗБІАС	1M			W
Электрычны інтэрфейс			SMA(f)

Ліміт

Параметр	Сімвал	адзінка	Мін	Тып	Макс
Уваходная аптычная магутнасць	Pin, Макс	дБм			20
Уваходная радыёчастотная магутнасць		дБм			28
напружанне зрушэння	Vbias	V	-15		15
Працоўная тэмпература	Топ	℃	-10		60
Тэмпература захоўвання	Tst	℃	-40		85
Вільготнасць паветра	RH	%	5		90

Інфармацыя аб замове

R	AM	15	10G	XX	XX
	Тып:	Даўжыня хвалі:	Прапускная здольнасць:	Тып валакна In-Out:	Аптычны раз'ём:
	AM --- Інтэнсіўнасць	08---850 нм	2,5G---10GHz	PP---PM/PM	FA---FC/APC
	Мадулятар	10---1060 нм	10G---10GHz	PS---PM/SMF	FP---FC/PC
		13---1310 нм	20G---10GHz		XX---Налада
		15---1550 нм

Механічная схема

ПОРТ	Сімвал	Нататка
In	Аптычны ўваходны порт	PM валакно (125 мкм/250 мкм)
Выхад	Порт аптычнага выхаду	Варыянт PM і SM Fiber
RF	Порт радыёчастотнага ўваходу	SMA(f)
прадузятасць	Порт кіравання зрушэннямі	1,2 зрушэння, 34-N/C

Папярэдняя: Электрааптычны мадулятар Rof 1550 нм Мадулятар інтэнсіўнасці серыі AM 40G

далей: Rof Электрааптычны мадулятар 850 нм фазавы мадулятар 10G

Rofea Optoelectronics прапануе лінейку камерцыйных электрааптычных мадулятараў, фазавых мадулятараў, мадулятараў інтэнсіўнасці, фотадэтэктараў, лазерных крыніц святла, лазераў DFB, аптычных узмацняльнікаў, EDFA, лазераў SLD, мадуляцыі QPSK, імпульсных лазераў, дэтэктараў святла, збалансаваных фотадэтэктараў, драйвераў лазераў. , Валаконна-аптычны ўзмацняльнік, аптычны вымяральнік магутнасці, шырокапалосны лазер, перабудоўваемы лазер, аптычны дэтэктар, драйвер лазернага дыёда, валаконны ўзмацняльнік.Мы таксама прапануем мноства канкрэтных мадулятараў для наладжвання, такіх як фазавыя мадулятары з масівам 1*4, мадулятары са звышнізкім Vpi і мадулятары са звышвысокім каэфіцыентам згасання, якія ў асноўным выкарыстоўваюцца ва універсітэтах і інстытутах.
Спадзяемся, што нашы прадукты будуць карыснымі для вас і вашых даследаванняў.